|
Szczegóły Produktu:
Zapłata:
|
| Max. Max. Temperature Temperatura: | 1200 ° C | Temperatura pracy: | nie więcej niż 1100C |
|---|---|---|---|
| Szybkość ogrzewania: | 0-20'C | Jednorodność temperatury: | ± 5 ℃ |
| Średnica rurki: | Rozmiar klienta | Element grzewczy: | Drut oporowy z Mo |
| Kontrola temperatury: | Automatyczne sterowanie PID poprzez sterowanie mocą SCR | ||
| High Light: | Maszyna do chemicznego osadzania z fazy gazowej 1000 kW,maszyna ISO pecvd,system chemicznego osadzania z fazy gazowej wzmocniony plazmą 1000 kW |
||
Maszyna z systemem PECVD do chemicznego osadzania z fazy gazowej wzmocnionej plazmą
System PECVD, jonizując gaz zawierający atom za pomocą mikrofal lub częstotliwości radiowej, tworzy lokalnie aktywną plazmę, która łatwo reaguje, osadzając się i tworząc oczekiwany cienki film.Nadaje się do procesu PECVD, takiego jak test przewodności podłoża ceramicznego powłoki z węglika krzemu, kontrolowany wzrost nanostruktur ZnO, eksperyment spiekania atomosfery kondensatorów ceramicznych (MLCC) itp.
Wyświetlacz produktu:
Pakowanie i wysyłka:
Drewniane pudełko z wypełnieniem z pianki poliuretanowej w celu zapewnienia bezpiecznego transportu.
Paczki mogą być wysyłane drogą morską, lotniczą, ekspresową itp. Na życzenie klienta.
Osoba kontaktowa: Mr. John Fang
Tel: 86-13837786702
